تعتزم سامسونغ إلكترونيكس استخدام عملية تصنيع TSMC بدقة 3 نانومترات لإنتاج القوالب الأساسية لذاكرة إنفيديا المخصصة ذات النطاق الترددي العالي، بحسب ما نقلته رويترز في 18 أكتوبر عن صحيفة سيول إيكونوميك ديلي. ويتناول التقرير تعاوناً بين شركتين متنافستين في صناعة الرقائق لتطوير NVHBM، وهي بنية ذاكرة تهدف إلى تخفيف اختناقات حوسبة الذكاء الاصطناعي.
وبحسب المصادر الصناعية للصحيفة، تعمل إنفيديا مع سامسونغ وTSMC على القالب الأساسي، أي الطبقة المنطقية أسفل رقائق الذاكرة المكدسة التي تتحكم في تبادل الإشارات. وذكرت رويترز أن إنفيديا طلبت من سامسونغ وإس كيه هاينكس ومايكرون استخدام تقنية TSMC لهذا المكون وتقنية ذاكرة DRAM من الجيل السادس لطبقات الذاكرة.
وقالت الصحيفة إن التصميم ينقل متحكم الذاكرة من معالج الرسوميات إلى القالب الأساسي للذاكرة، مما يتيح مساحة لدوائر حوسبة إضافية داخل المعالج. وقدمت الترتيب باعتباره استجابة لقيود أداء الذاكرة والطاقة التصنيعية. لكن هذه المعلومات منسوبة إلى مصادر لم تسمها، وليست إعلاناً عن عقد منشور للعموم.
وتوضح منتجات سامسونغ الحالية خلفية التغيير المحتمل. ففي إعلان HBM4 في فبراير، قالت الشركة إنها تجمع ذاكرة DRAM من الجيل السادس ضمن فئة 10 نانومترات مع قالب منطقي أساسي خاص بها بدقة 4 نانومترات. وأشارت إلى نطاق ترددي يصل إلى 3.3 تيرابايت في الثانية لكل حزمة مكدسة وبدء الشحنات التجارية. وهذه بيانات الشركة عن منتجها الحالي، وليست مواصفات تصميم NVHBM الوارد في التقرير، ولا ينبغي اعتبار بدء شحن ذلك المنتج تأكيداً لوصول التصميم المخصص الجديد إلى مرحلة التوريد التجاري.
ويكتسب هذا التمييز أهمية لأن تصنيع طبقات الذاكرة وإنتاج المنطق الكامن تحتها يشكلان جزأين منفصلين من المنتج نفسه. وستدخل الخطة المعلنة صحفياً تقنية TSMC في عرض سامسونغ المخصص لإنفيديا. لكنها لا تثبت أن سامسونغ تتخلى عن تقنية القوالب الأساسية الخاصة بها في كامل مجموعة منتجات الذاكرة.
ولم تتأكد التزامات الإنتاج التفصيلية أو مواعيد التسليم في المواد التي جرت مراجعتها. وستكون هناك حاجة إلى إفصاحات إضافية لتحديد موعد تحول هذا الترتيب إلى إمدادات تجارية. وفي الوقت الحالي، تشير تقارير 18 أكتوبر إلى تنسيق أوثق بين موردي الذاكرة ومصنع للرقائق مع سعي إنفيديا إلى تطوير بنية ذاكرة مخصصة.
التعليقات