Samsung Electronics prevé utilizar el proceso de 3 nanómetros de TSMC para los chips de base de la memoria de alto ancho de banda personalizada de Nvidia, informó Reuters el 18 de octubre, citando a Seoul Economic Daily. La cooperación entre rivales se centraría en NVHBM, una arquitectura destinada a aliviar los cuellos de botella del cómputo de inteligencia artificial.
Según fuentes industriales del diario, Nvidia trabaja con Samsung y TSMC en el chip de base, la capa lógica bajo las memorias apiladas que controla el intercambio de señales. Reuters indicó que Nvidia pidió a Samsung, SK Hynix y Micron utilizar el proceso de TSMC para ese componente y tecnología DRAM de sexta generación para las capas de memoria.
Seoul Economic Daily señaló que el diseño traslada el controlador de memoria del procesador gráfico al chip de base. Así quedaría espacio para más circuitos de cómputo. El diario presenta la iniciativa como respuesta a límites de rendimiento y capacidad de fabricación, pero cita fuentes anónimas, no un contrato divulgado públicamente.
Los productos actuales de Samsung contextualizan el posible cambio. Al anunciar HBM4 en febrero, la compañía afirmó combinar DRAM de sexta generación de clase 10 nm con su propio chip lógico de base de 4 nm. Describió un ancho de banda de hasta 3,3 terabytes por segundo por pila e indicó que habían comenzado los envíos comerciales. Son afirmaciones de Samsung sobre ese producto, no especificaciones del NVHBM descrito.
La distinción es relevante porque fabricar las capas de memoria y la lógica subyacente son tareas separadas dentro del mismo producto. El plan incorporaría el proceso de TSMC a la oferta personalizada de Samsung para Nvidia. No demuestra que Samsung abandone su propia tecnología de base en toda su gama de memorias.
Los compromisos detallados de producción y las fechas de entrega siguen sin confirmarse en el material consultado. Harían falta nuevos anuncios para determinar cuándo llegaría el acuerdo descrito al suministro comercial. Por ahora, la información del 18 de octubre apunta a una coordinación más estrecha entre proveedores de memoria y una fundición para la arquitectura personalizada de Nvidia.
Comentarios