路透社10月18日援引《首尔经济日报》报道，三星电子计划采用台积电的3纳米制造工艺，为英伟达定制高带宽内存生产基础芯片。这项报道涉及两家芯片制造竞争对手围绕NVHBM开展合作。该内存架构旨在缓解人工智能计算中的内存瓶颈，使内存技术更好地满足计算系统的需求，相关安排目前仍属于媒体报道的信息。此次合作的报道把三星、台积电和英伟达联系在同一项内存开发工作中，重点是面向人工智能计算的专用设计。
据该报援引的产业消息人士透露，英伟达正与三星和台积电共同开发基础芯片。这是位于堆叠内存芯片下方的逻辑层，负责控制信号交换。路透社报道称，英伟达要求三星、SK海力士和美光对这一部件采用台积电工艺，并对内存层采用第六代动态随机存取存储器技术。这一要求分别针对逻辑部件和负责存储数据的内存层。换言之，基础芯片负责逻辑与信号控制，上方堆叠的芯片则承担存储任务，报道描述的是这些不同部件采用的生产技术。
《首尔经济日报》表示，该设计将内存控制器从图形处理器转移到内存基础芯片上，从而在处理器内部腾出空间，容纳更多计算电路。该报将这一安排描述为应对内存性能和制造产能两方面限制的办法。不过，报道依据的是未具名产业消息人士的说法，并不是企业已经向公众披露的合同，因此不能将其直接视为正式宣布的供货协议。这一设计思路的重点是重新分配控制功能和计算电路的位置，从而为处理器提供更多容纳计算电路的空间。
三星现有产品为这一潜在变化提供了背景。该公司在今年2月发布HBM4消息时表示，它将第六代10纳米级动态随机存取存储器与自家的4纳米逻辑基础芯片结合使用。三星当时介绍，每个堆叠的带宽最高达到每秒3.3太字节，并称商业出货已经开始。这些数据是三星对现有产品的介绍，并不是此次报道中NVHBM设计的技术规格，两者需要明确区分。因此，现有产品的带宽与已经开始出货的消息，只用于说明三星此前公开的技术基础，不能作为新设计已经交付的证据。
这种区分十分重要，因为制造内存层与制造其下方的逻辑电路，是同一产品中不同部分的制造工作。按照报道中的计划，台积电工艺将进入三星为英伟达提供的定制内存产品。现有报道并不能证明三星正在其整个内存产品系列中放弃自有基础芯片技术，也不能据此把一项定制产品的安排概括为所有内存产品的技术路线变化。特定客户的定制内存方案与企业整体产品组合之间存在范围差异，判断影响时需要保留这一界限。
在已查阅的材料中，相关公司的详细生产承诺和交付时间表仍未得到确认。要确定报道中的安排何时转化为商业供货，还需要企业进一步披露信息。目前，10月18日的报道表明，随着英伟达推进定制内存架构，内存供应商与晶圆代工企业之间可能进行更紧密的协调。最终生产和交付安排仍有待后续信息明确，不能把媒体披露的开发合作直接等同于已经落实的商业供应。报道所呈现的是供应链企业围绕设计和制造需求进行协调的方向，而详细承诺、实际供货时间及实施进展仍需要进一步的公开信息支持。
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