Canon Inc. anunció el 13 de enero que se ha convertido en la primera empresa del mundo en desarrollar e implementar prácticamente la tecnología de planarización adaptativa por inyección de tinta para la fabricación de semiconductores. El avance, que aprovecha la experiencia de Canon en litografía por nanoimpresión, representa un avance significativo en el procesamiento de obleas que podría transformar la fabricación de chips avanzados. El gigante japonés de imágenes tiene como objetivo comercializar equipos que incorporen esta tecnología para 2027.
La nueva tecnología, llamada planarización adaptativa por inyección de tinta o IAP, aborda uno de los desafíos más críticos en la fabricación de semiconductores. A medida que los chips se vuelven cada vez más miniaturizados y tridimensionales, incluso ligeras irregularidades superficiales en las obleas pueden causar errores dimensionales y desalineación de patrones que impactan significativamente los rendimientos de producción. Los métodos tradicionales de planarización han tenido dificultades para mantenerse al día con las demandas de los diseños de chips de vanguardia.
El sistema IAP de Canon funciona utilizando un inyector de tinta para dispensar material fotocurable sobre las superficies de las obleas de manera precisamente ajustada que coincide con la topografía subyacente. Luego se presiona una placa de vidrio plana sobre la oblea, logrando una nivelación de alta precisión en toda la superficie de 300 milímetros de diámetro en un solo proceso de estampado. Este enfoque reduce la irregularidad topográfica a cinco nanómetros o menos, independientemente de las variaciones en el diseño del circuito o la densidad del patrón.
La tecnología se basa en el trabajo de Canon en litografía por nanoimpresión, una alternativa a la litografía ultravioleta extrema que ha atraído atención como un método potencialmente más económico para producir semiconductores avanzados. Al adaptar elementos clave de la nanoimpresión para la planarización, Canon ha desarrollado un proceso que proporciona un excelente llenado de huecos incluso para altas relaciones de aspecto y entrega resultados consistentes independientemente del tamaño de las características o la densidad del patrón.
Canon y su subsidiaria Canon Nanotechnologies presentarán su investigación IAP en la Conferencia SPIE de Litografía Avanzada y Patrones programada para el 25 de febrero en el Centro de Convenciones de San José. La presentación incluirá especificaciones técnicas detalladas y resultados de rendimiento iniciales que demuestran las capacidades de la tecnología para la fabricación de dispositivos lógicos y de memoria.
El anuncio llega mientras la industria de semiconductores enfrenta una presión creciente para desarrollar nuevas técnicas de fabricación para chips de próxima generación. Mientras que la empresa holandesa ASML domina el mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema, alternativas como la nanoimpresión de Canon y ahora la tecnología IAP ofrecen caminos potenciales para los fabricantes de chips que buscan reducir costos o lograr objetivos de fabricación específicos.
Los analistas de la industria señalan que la planarización es un paso indispensable pero a menudo pasado por alto en la fabricación de chips. A medida que se construyen múltiples capas de películas y cableado durante la fabricación, mantener superficies planas se vuelve cada vez más desafiante. La capacidad de Canon para lograr una planitud inferior a cinco nanómetros en un solo proceso podría eliminar múltiples pasos de los flujos de trabajo de fabricación actuales, reduciendo potencialmente tanto el tiempo como el costo para los productores de semiconductores en todo el mundo.
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